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[主观题]

设有电场εx、εy及磁场Bz作用于金属中的自由电子,试证明在一级近似下,磁场不能改变电子的分布函数。

设有电场εx、εy及磁场Bz作用于金属中的自由电子,试证明在一级近似下,磁场不能改变电子的分布函数。

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第1题
如在一样品的x方向上加有电场ε、在z方向加有磁场Bz,某空穴在t=0时vx0=v0cosθ,vy0=v0sinθ。这里θ为空穴初速度

如在一样品的x方向上加有电场ε、在z方向加有磁场Bz,某空穴在t=0时vx0=v0cosθ,vy0=v0sinθ。这里θ为空穴初速度与x轴夹角。试证位移对θ的平均值与v0无关。并讨论此结果说明什么问题?

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第2题
把一块P型半导体放在z方向的磁场中,半导体沿正x方向通有电流,则霍耳电场的方向指向?()

A.正y方向

B.负y方向

C.正z方向

D.负z方向

E.正x方向

F.负x方向

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第3题
霍尔效应式指()。

A.当金属或半导体薄片置于电场中,在垂直于电流的方向上将产生电动势

B.当金属或半导体薄片置于磁场中,在垂直于和磁场的方向上将产生电动势

C.当金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势

D.当金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在平行于电流和磁场的方向上将产生电动势

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第4题
立方晶系金属,电流密度j,与电场ε和磁场B的关系是 j=σ0ε+αB×e+β(B·ε)B-B2ε], 试把此关系改写成 ε=ρ0{j+α(

立方晶系金属,电流密度j,与电场ε和磁场B的关系是

j=σ0ε+αB×e+β(B·ε)B-B2ε],

试把此关系改写成

ε=ρ0{j+α(B×j)+b[(B·j)B-B2j]}.

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第5题
已知在K'系中一根无限长直带正电的细棒静止,且沿x'轴放置。其电荷线密度η'e均匀。设
K'系相对于K系以速度v沿x轴正向运动。

(1)求在K系中空间的电场;

(2)求在K系中空间的磁场;

(3)在K系中看来,运动的带电细棒相当于无限长直电流,它所产生的磁场服从毕奥-萨伐尔定律,由此证明已知在K'系中一根无限长直带正电的细棒静止,且沿x'轴放置。其电荷线密度η'e均匀。设K'系相对于K

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第6题
CT技术、康普顿散射成像技术、数字射线照相技术、辐射数字成像技术等被应用于工业射线探伤领域。关于下列X射线探伤原理图,观点正确的是()。CT技术、康普顿散射成像技术、数字射线照相技术、辐射数字成像技术等被应用于工业射线探伤领域。关于下列

A.X射线能穿透可见光不能穿透的物质

B.X射线在物质中具有衰减作用和衰减规律

C.X射线探伤是利用材料厚度不同对X射线吸收程度的差异来进行探测的

D.X射线以光速直线传播,不受电场和磁场的影响

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第7题
平面电磁波中电场能量密度和磁场能量密度相等。()
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第8题
无界导电媒质中,磁场能量大于电场能量。()
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第9题
电场中的电力线和磁场中的磁力线都是闭合曲线。()
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第10题
如图所示,有一弯成倾角θ的金属架COD放在磁场中,磁感应强度B的方向垂直于金属架COD所在平面.一导体杆MN垂直

于OD边,并在金属架上以恒定的速度v向右滑动,v恒与MN垂直.设t=0时,x=0. 求:当磁场分布均匀且B不随时间改变时,框架内的感应电动势的大小.

如图所示,有一弯成倾角θ的金属架COD放在磁场中,磁感应强度B的方向垂直于金属架COD所在平面.一导

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