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[主观题]

如图6-20所示,一个电容器由三个共轴的导体薄圆柱筒组成,筒长均为l,半径分别为R1、R2和R3,其间

如图6-20所示,一个电容器由三个共轴的导体薄圆柱筒组成,筒长均为l,半径分别为R1、R2和R3,其间为空气。一个绝缘细导线通过中间圆筒的一个小孔将内、外筒连接起来,忽略孔的边缘效应。试求该电容器的电容。

如图6-20所示,一个电容器由三个共轴的导体薄圆柱筒组成,筒长均为l,半径分别为R1、R2和R3,其

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第1题
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由正透镜和负透镜组成共轴系统,F'1和F'2分别为正透镜和负透镜的像方焦点。若负透镜相对于正透镜光轴发生了平移,其量为△,如图a)所示,或者负透镜相对于正透镜而言,既有平移而且又偏转了θ角,如图b)所示。试用作图法求上述情况下光轴偏折情况。

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第2题
一平板电容器,由相距0.5mm的薄金属板A.B组成,每块板的面积为0.02m2.放在作屏藏的金属盒K
中,如图4.8所示。金属盒上的两壁与A、B分别相距0.25mm不记边缘效应,问:

(1)这个电容器放入盒内与不放入盒内相比,电容改变多少?

(2)如果盒中电容器的一个极板与金属盒连接,电容器的电容改变多少?

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第3题
由RLC电路实现的LTI系统如图2-4所示,电压源x(t)为输入,电容器的端电压y(t)为输出。 (1

由RLC电路实现的LTI系统如图2-4所示,电压源x(t)为输入,电容器的端电压y(t)为输出。

(1)写出系统函数H(s)的表达式。如何选择R、L、C的关系,才能使阶跃响应不产生振荡信号? (2)若R=2(Ω),L=1(H),C=1(F),求系统单位冲激响应的表达式; (3)R、L、C参数与(2)相同,求系统阶跃响应s(t)的初始值s(0+)和终值s(∞)。

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第4题
CMOS集成芯片4007中包含两个互补对和一个反相器如图题3.2.7所示,试分别连接:(1)三个反相器;(2)
CMOS集成芯片4007中包含两个互补对和一个反相器如图题3.2.7所示,试分别连接:(1)三个反相器;(2)

3输入端或非门;(3)3输入端与非门;(4)或与非门[];(5)传输门(一个非门控制两个传输门分时传送)。

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第5题
某供电给高压并联电容器组的线路上,装有一只三相无功电度表和三只电流表,如图(a)所示。试按中断表示法(相对

某供电给高压并联电容器组的线路上,装有一只三相无功电度表和三只电流表,如图(a)所示。试按中断表示法(相对标号法)在图(b)上标注端子排及所有电表上的端子。

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第6题
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某供电给高压并联电容器组的线路上,装有一只无功电能表和三只电流表,其原理电路图如图7-21a所示。试按中断线表示法(即相对标号法)在图7-21b所示仪表端子出线处和对应的端子排端子上进行标号。

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第7题
如图(a)所示,用两面积为S0的大圆盘组成一间距为d的平行板电容器,用两根长导线垂直地接在两圆盘的

如图(a)所示,用两面积为S0的大圆盘组成一间距为d的平行板电容器,用两根长导线垂直地接在两圆盘的中心。今用可调电源使此电容器以恒定的电流I0充电,试求: (1)此电容器中的位移电流密度; (2)如图(b)所示,电容器中P点的磁感应强度; (3)证明在此电容器中从半径为r、厚度为d的圆柱体表面流进的电磁能与圆柱体内增加的电磁能相等。

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第8题
如图 6-15所示,一球形电容器,内球壳半径为R1,外球壳半径为R2,其间充有相对介电常数分别为 和

如图 6-15所示,一球形电容器,内球壳半径为R1,外球壳半径为R2,其间充有相对介电常数分别为的两层各向同性的均匀电介质其分界面半径为若两种电介质的击穿电场强度相同,问:

(1)当电压升高时,哪层介质先击穿?

(2)该电容器能承受多高的电压?

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第9题

设有同心球电容器,内球半径为a,外球内半径为c,中间充有两层媒质,其分界面为r=b,内外层媒质的电容率和电导率分别为ε1、σ1、ε2、σ2,如图3.2所示。

  

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第10题
用麦克斯韦方程组证明:在如图16-2所示的球对称分布的电流场(如一个放射源向四周均匀地发射带电

用麦克斯韦方程组证明:在如图16-2所示的球对称分布的电流场(如一个放射源向四周均匀地发射带电粒子或带电的球形电容器的均匀漏电)内,各处的B=0。

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第11题
为了测量电介质材料的相对电容率,将一块厚度为1.5cm的平板材料慢慢地插进一距离为2.0cm的空气电容器中间,如

图2.15所示。在插入过程中,电容器的电荷保持不变。插入后,两极板间的电位差减小为原来的60%,问电介质的相对电容率是多大?

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