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[主观题]

用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有、、__和_

_____________。

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第1题

影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有______________、______________、______________

、______________和______________。

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第2题

为什么测量半导体硅单晶导电类型时，要对单晶的被测表面进行喷砂处理？

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第3题

拉制N型单晶时，为保证电阻率的准确性，需注意哪些方面？

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第4题

P型单晶边皮电阻率分几档（）

A.3

B.4

C.6

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第5题

外径千分尺是用接触法测量外螺纹的基本中径最常用的一种量具。它是利用螺旋副原理，对弧形尺架上的锥形测量面和V形凹槽测量面间分隔的距离进行读数的测量器具。（)

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第6题

在太阳能单晶的生产中，主要以拉制（）为主；其电阻率一般以（）为主。

A、N型

B、0.5~3Ωcm

C、P型

D、3~6Ωcm

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第7题

如果以单晶砷作基质，掺杂硒后是什么类型的半导体？掺杂锗后是哪类半导体？为什么？

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第8题

湿度传感器依据所使用的材料不同，可分为（)。

A.电解质型

B.陶瓷型

C.高分子型

D.单晶半导体型

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第9题

用双像解析摄影测量的方法测求地面点三维坐标的方法主要有哪几种？简述各种方法的基本原理。

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第10题

QC小组解决课题所涉及的管理技术主要有遵循PDCA循环、以事实为依据用数据说话、应用（）方法三个方面

A.统计

B.测量

C.计算

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