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第1题
某高频功率放大器工作于临界状态，输出功率Po=3W，集电极电源电压VCC=24V，通角θc=76°。已知晶体管的饱和临界线
某高频功率放大器工作于临界状态，输出功率Po=3W，集电极电源电压VCC=24V，通角θc=76°。已知晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.5S，晶体管转移特性曲线斜率gc=0.2S，导通电压Ubz=0.6V。试求：集电极电流脉冲的振幅ICM、集电极脉冲电流中的直流分量IC0、集电极脉冲电流中的基波分量振幅Ic1m、集电极电源电压VCC提供的功率P=集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、基极电源电压VBB和输入电压信号ub(t)的振幅Ubm。
第7题
高频功率放大器的功放管常采用N沟道增强型的V-MOSFET(具有V形槽的MOSFET)。其最大特点是利用严
高频功率放大器的功放管常采用N沟道增强型的V-MOSFET（具有V形槽的MOSFET)。其最大特点是利用严
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格控制扩散结深的方法来控制沟道长度，以提高它的()。由于V-MOSFET的沟道短，栅漏间的()较小，其工作频率可达到20GHz。
