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[填空题]

高频功率放大器的三种工作状态,分别为()、()、(),欲使功率放大器高效率地输出最大功率,应使放大器工作在()状态;为了兼顾效率和功率,一般高频功率放大器的通角θ选为()。

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第1题
丙类谐振功率放大器根据集电极电流波形的不同,可分为三种工作状态,分别为欠压状态、()状态、()状态;欲使功率放大器高效率地输出最大功率,应使放大器工作在()状态。
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第2题
发射机的中间级高频功率放大器,应工作于()状态因为()。
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第3题
高频功率放大器主要用来放大高频信号,为了提高效率,一般工作在()类状态。
高频功率放大器主要用来放大高频信号,为了提高效率,一般工作在()类状态。

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第4题
高频功率放大器为了输出较大的功率以及效率,根据导通角的大小,其一般工作在()状态。

A.甲类

B.乙类

C.甲乙类

D.丙类

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第5题
已知某高频功率放大器工作在过压状态,采取()措施不能将其调整到临界状态。

A.减小负载电阻RL

B.减小基极偏置电压Eb

C.减小激励信号的振幅Ub

D.增大负载电阻RL

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第6题
谐振功率放大器的三种工作状态为()、临界、过压,一般工作在临界工作状态;集电极调幅时应工作在过压工作状态。
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第7题
高频谐振功率放大器为了提高______,它工作在______类,导通角θ______。
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第8题
电路分别为开路、通路以及断路三种工作的状态。()
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第9题
高频功率放大器的功放管常采用N沟道增强型的V-MOSFET(具有V形槽的MOSFET)。其最大特点是利用严
高频功率放大器的功放管常采用N沟道增强型的V-MOSFET(具有V形槽的MOSFET)。其最大特点是利用严

格控制扩散结深的方法来控制沟道长度,以提高它的()。由于V-MOSFET的沟道短,栅漏间的()较小,其工作频率可达到20GHz。

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第10题
某高频功率放大器工作于临界状态,输出功率Po=3W,集电极电源电压VCC=24V,通角θc=76°。已知晶体管的饱和临界线

某高频功率放大器工作于临界状态,输出功率Po=3W,集电极电源电压VCC=24V,通角θc=76°。已知晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.5S,晶体管转移特性曲线斜率gc=0.2S,导通电压Ubz=0.6V。试求:集电极电流脉冲的振幅ICM、集电极脉冲电流中的直流分量IC0、集电极脉冲电流中的基波分量振幅Ic1m、集电极电源电压VCC提供的功率P=集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、基极电源电压VBB和输入电压信号ub(t)的振幅Ubm

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第11题
谐振功率放大器工作在临界状态,现分别增大VCC、VBB和Re,试简述功率放大器工作状态的变化。

谐振功率放大器工作在临界状态,现分别增大VCC、VBB和Re,试简述功率放大器工作状态的变化。

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