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第3题
将一n型锗切成厚度为2α的大簿片，样品的长和宽足够大，使得边界效应可以忽略，从而使样品中光生载流子的输运基
本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。
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第7题
对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：（)。
A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动
B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动
第8题
若图4.11中已知VCC=20V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，晶体管为NPN型硅管，β=50，试求电路的静态工作点。
若图4.11中已知VCC=20V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，晶体管为NPN型硅管，β=50，试求电路的静态工作点。
第10题
有一种物质广泛存在于自然界中，它是制作计算机芯片的主要材料，这种物质是（）。A.镍B.硅
有一种物质广泛存在于自然界中，它是制作计算机芯片的主要材料，这种物质是（）。
A.镍
B.硅
C.碳
D.锗
