Cu在室温下的电导率为σ=5.88×107S/m,试由此估计其电子平均自由程,并与Cu的晶格间距0.256nm相比较.一个电子在被散射之前会遇到多少原子?
假定某种高聚物的电导率为10-9Ω-1·m-1,载流子迁移率借用室温下烃类液体中离子载流子的数值10-9m2/(V·s),计算高聚物的载流子浓度,并估算高聚物中重复单元的数量密度(假定重复单元相对分子质量为100,高聚物的相对密度为1),比较所得结果并加以讨论。
设液压泵转速为nB=950r/min,排量qBV=168mL/r,在额定压力pB=29.5MPa和同样转速下,测得的实际流量为QB=150L/min,额定工况的总效率为ηBV=0.87,试求:
施主浓度ND=1017/cm-3的n型硅,室温下功函数是多少?若不考虑表面态的影响,它分别同Al、Au、Mo接触时,是形成阻挡层还是反阻挡层?硅的电子亲合能取4.05eV。设WAl=4.18eV,WAu=5.20eV,WMo=4.21eV。室温下硅的Nc=2.8x1019cm-3。
受主浓度NA=1017/cm3的p型锗,室温下功函数为多少?若不考虑表面态的影响,它分别同Al、Au、Pt接触时形成阻挡层还是反阻挡层?锗的电子亲合能取4.13eV。设WAl=4.18eV,WAu=5.20eV,Wpt=5.43eV。
已知某晶体三极管在室温(27℃)下的=50,
,当温度升高至60o时,试求
值.
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.