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[主观题]

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别？

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第1题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第2题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第3题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第4题

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于（)状态，（)导电沟道。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

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第5题

试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。

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第6题

试用N沟道耗尽型MOS管构成一共漏放大电路并与共集电极放大电路进行比较，在电路性能上有哪些相同的特点。

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第7题

关于场效应管，下列说法错误的是()。

A.场效应管只有一种载流子导电，所以是单极型器件

B.场效应管是电压控制电流型器件，分为MOSFET和JFET两大类

C.MOSFET分N沟道和P沟道，按照导电沟道形成机理不同，NMOS管和PMOS管又各有增强型和耗尽型两种

D.JFET也分N沟道和P沟道，所以也各有增强型和耗尽型两种

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第8题

如图所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压u_T=

()，如果是耗尽型，说明它的夹断电压u_P=()，其中iD的参考方向为流进漏极。

如图所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压uT=()，如

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第9题

‎MOS管中，导电沟道的有效长度会随着所加的VDS调制：增加VDS将使漏结的耗尽区加大，从而增加了有效沟道的长度。（)‏

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第10题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是（)。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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