题目内容
（请给出正确答案）
A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值
B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度
C.电子的迁移率为正
D.电子的迁移率大于空穴的迁移率
E.电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正
F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率
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A.载流子浓度不随温度变化
B.大部分杂质都已电离
C.本征激发的影响可以忽略
D.载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E.费米能级不随温度变化
F.本征激发的影响不可忽略
A.低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化
B.强电离区，载流子浓度不随温度变化
C.本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化
D.强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化
E.本征激发区，载流子浓度不随温度变化
F.低温区，载流子浓度不随温度变化
假定某种高聚物的电导率为10-9Ω-1·m-1，载流子迁移率借用室温下烃类液体中离子载流子的数值10-9m2/(V·s)，计算高聚物的载流子浓度，并估算高聚物中重复单元的数量密度(假定重复单元相对分子质量为100，高聚物的相对密度为1)，比较所得结果并加以讨论。
A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献
B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献
C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系
D.通过双极扩散的机构，电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端
E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的
B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池
C、是光能转换成电能
D、能够产生有效的光生伏特效应，需要：光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离
E、是电能转换成光能
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s，电子迁移率μn=2800cm2/(V·s)，空穴迁移率μp=700cm2/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10-34J·s，光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
A．贷款质量的变化是风险迁徙类指标关注的内容
B．正常贷款和关注类贷款的向下调整都是该指标关注的内容
C．不良贷款的迁徙率包括次级类和可疑类贷款迁移率
D．风险迁徙类指标是静态的
A.只存在一种载流子：自由电子
B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
A.自由电子是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
