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试计算图3．6．2(a)所示电路中门G最多可以驱动多少个负载门。已知G0和负载门G1，…，Gn均为LSTTL与非门，它们的输入特性和输出特性由图3．6．2(b)，(c)，(d)给出。由于功耗的限制，规定高电平输出电流不能超过400μA。要求门G0的输出电平满足VOH≥3．2 V，VOL≤0．25 V。
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在图所示电路中，已知非线性电阻的伏安特性为i=g(u)=
试确定图(a)、(c)、(e)、(g)、(i)、(k)、(m)、(o)所示各结构用位移法计算时的基本未知量数目，并形成基本结构。
在图所示的用555定时器组成的多谐振荡器电路中，若R1=R2=5.1kΩ、C=0.01μF、Vcc=12V，试计算电路的振荡频率。
在图所示电路中，R1=1Ω，R2=2Ω，Is=3A，α=10，试就(1)Us=10V；(2)Us=-10V，分别计算受控电源的功率。
在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT。
(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。
图电路中，G=3S，C=2F，
写出图5.26所示各电路的名称，已知R1=1Ω，R2=20Ω，R=R1//R2，试分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。
图1.30所示的电路中，U1=10V，E1=4V，E2=4V，R1=4Ω，R2=2Ω，R3=5Ω。1、2两点处于开路状态，试计算开路电压U2。
