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[主观题]

试用ROM实现一个乘法器。已知输入是两个二进制数M1M0和N1N0输出是两者的乘积,并用4位二进制数表示

,即Y3Y2Y1Y0。

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第1题
试用ROM设计一个乘法器。已知输入是两个2位二进制数 A1A0和B1B0,输出是二者的乘积,并用4位二进制数表示,即Y3

试用ROM设计一个乘法器。已知输入是两个2位二进制数 A1A0和B1B0,输出是二者的乘积,并用4位二进制数表示,即Y3Y2Y1Y0。要求画出ROM电路的与或逻辑阵列。

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第2题
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试确定用ROM实现下列逻辑函数时所需的容量: (1)实现两个3位二进制数相乘的乘法器; (2)将8位二进制数转换成十进制数(用BCD码表示)的转换电路。

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第3题
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第5题
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第6题
已知一个逻辑函数的真值表如下所示,A、B、C是输入,F是输出。试用与非门画出该函数的逻辑图。

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第7题
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第8题
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列时,输出z才为1,否则为0,如图L7-8-1所示。

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第9题
已知乘法器如图3-2(a)所示,输入的窄带高斯噪声n(t)有功率谱Sn(ω)如图3.2(b)所示,相角θ为(O,2兀)

已知乘法器如图3-2(a)所示,输入的窄带高斯噪声n(t)有功率谱Sn(ω)如图3.2(b)所示,相角θ为(O,2兀)内均匀分布的独立随机变量,ω0》ωm。 (1)乘法器的输出x(t)是否广义平稳? (2)确定乘法器输出x(t)的功率密度,并画出波形。

已知乘法器如图3-2(a)所示,输入的窄带高斯噪声n(t)有功率谱Sn(ω)如图3.2(b)所示,相

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第10题
一个NMOS—ROM存储矩阵如图6.4.2所示。图中存储阵列的“×”表示字线和位线间接有NMOS管,接法见左上方
的虚线框。

一个NMOS—ROM存储矩阵如图6.4.2所示。图中存储阵列的“×”表示字线和位线间接有NMOS管,(1)若地址译码器的输入A2A1A0取值为000、001、010、…、111时,其相应的输出Y0、Y1、Y2、…、Y7为高电平。试问输入A2A1A为010、011、101时,ROM相应的输出状态是什么? (2)若已知ROM的输出为10110011,试问地址译码器的输入A2A1A0应该是什么状态?

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