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更多“用哪些技术指标描述半导体存储器的性能？又用哪些技术指标描述磁…”相关的问题
第2题
内存储器存储正在运行的程序和程序所需的数据，下列关于内存储器说法正确的是（）
A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述
B.DRAM的主要参数有两个：存储容量和工作频率，工作频率反映了存储器读写单元的速度
C.动态存储器(DRAM)集成度低，生产成本高，一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合
D.断电后RAM中的内容全部丢失，目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
第3题
和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少B
和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。
A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少
B．集成度高，存取周期快，位平均功耗大
C．集成度低，存取周期快，位平均功耗大
第4题
和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是______。
A.集成度低，存取周期快，位平均功耗小
B.集成度高，存取周期快，位平均功耗小
C.集成度高，存取周期快，位平均功耗大
D.集成度低，存取周期快，位平均功耗大
第7题
用一个512K×8位的Flash存储芯片组成一个4M×32位的半导体只读存储器。 试回答： （1)该存
用一个512K×8位的Flash存储芯片组成一个4M×32位的半导体只读存储器。 试回答： (1)该存储器的数据线数。 (2)该存储器的地址线数。 (3)共需几片这种存储芯片？ (4)说明每根地址线的作用。
第8题
下列关于存储器的论述中，不正确的是（)。A．半导体存储器都具有易失性，掉电后信息丢失B．常用
下列关于存储器的论述中，不正确的是()。
A．半导体存储器都具有易失性，掉电后信息丢失
B．常用的PROM是通过将内部的熔丝烧断来编程，出厂时存储内容为全“0”
C．擦除EPROM的方法是用紫外线照射
D．双端口存储器具有两套“MAR+MDR+R／W+CE”
