在室温下，锗的有效态密度N_C=1.05x10¹⁹cm^-3, N_V=5. 7x10¹⁸cm^-⊕

在室温下，锗的有效态密度N_C=1.05x10¹⁹cm^-3, N_V=5. 7x10¹⁸cm^-³，及E_g=0. 76eV,求温度为300K和500K时，含施主浓度N_D=5x10¹⁵cm^-³，受主浓度N_A=2x 10⁹cm^-3,的锗中电子及空穴浓度为多少？

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更多“在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, …”相关的问题

第1题

试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？

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第2题

空穴浓度为1016cm-3的p型锗，室温下与金属连接，通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热（设为长声学波散射

空穴浓度为10¹⁶cm^-3的p型锗，室温下与金属连接，通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热(设为长声学波散射)。

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第3题

银的密度为10.5×103kg/m3，电阻率为1.6×10-8Ω·m（在室温下)。

银的密度为10.5×10³kg/m³，电阻率为1.6×10^-8Ω·m(在室温下)。

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第4题

室温下橡胶处在高弹态，而塑料处在玻璃态。（)

此题为判断题(对，错)。

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第5题

假定某种高聚物的电导率为10-9Ω-1·m-1，载流子迁移率借用室温下烃类液体中离子载流子的数值10-9m2/（V·s)，计

假定某种高聚物的电导率为10^-9Ω^-1·m^-1，载流子迁移率借用室温下烃类液体中离子载流子的数值10^-9m²/(V·s)，计算高聚物的载流子浓度，并估算高聚物中重复单元的数量密度(假定重复单元相对分子质量为100，高聚物的相对密度为1)，比较所得结果并加以讨论。

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第6题

某卤化铵NH4X室温具有CsCl型结构a=0．405 9 nm，138℃时转变为NaCl型结构，a=0．686 7nm。（1)其

某卤化铵NH4X室温具有CsCl型结构a=0．405 9 nm，138℃时转变为NaCl型结构，a=0．686 7nm。 (1)其室温多型体的密度为2 431 kg.m-3，确定X； (2)忽略热膨胀效应，计算两种多型体的摩尔体积之比； (3)假定球形NH4+离子的有效半径为0．150 nm，阴、阳离子互相接触，计算两种结构中的阴离子半径，在这两种结构中阴离子互相接触吗？

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第7题

用外延生长和杂质高温扩散工艺制造一个二极管。基片n型Si的浓度是均匀的。外延生长层的浓度ND2也是

均匀的。硼扩散的浓度表面高，里面低。如图3—5(d)所示的分布。在xj处NA=ND2。B点的硼浓度为NAB，具体数值均如图3—5所示。已知室温时Nc=2．8×1019cm-3，Nv=1．1×1019cm-3，ni=1．3×1010cm-3；500K时Eg=1．0eV，试回答下列问题。

(1)求300K时扩硼前n区(外延层)费米能级EF的位置及电子和空穴的浓度。 (2)试求室温时B点的EF的位置及电子和空穴的浓度。 (3)在500K时B点处的电子浓度和空穴浓度各是多少？