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[判断题]

反向电流是由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。()

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第1题
发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片,在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫 发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。对文段理解不正确的是()。

A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术

B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成

C.PN结位于P型半导体和n型半导体的过渡层上

D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

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第2题
说明PN结少数载流子电流积分法的信号输入原理.
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第3题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?

电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?

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第4题
用于测试硅片中少数载流子类型的测试是()。

A.四探针法

B. X射线法

C. 整流法

D. 显微镜观察法

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第5题
本征半导体中掺入微量______价元素可形成P型半导体,其多数载流子为______。
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第6题
下列叙述正确的是( )。

A.若某二端无源电路的阻抗为(5+j2)Ω,则其导纳为(0.2+j0.5)S

B.R、L、C元件相并联的电路,若L和C上电流的参考方向与并联电路两端的方向关联,则L和C上的电流一定反向

C.某感性阻抗,当频率增大时,该阻抗的模随之减小

D.一正弦稳态的RLC串联支路,支路两端电压的有效值一定大于其中每个元件的有效值

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第7题
带时限电流保护,其电流值愈大,则动作时间()。A.愈短B.愈长C.与电流大小无关

A.愈短

B.愈长

C.与电流大小无关

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第8题
四种卤素原子可以与碳形成碳卤键,它们的键能大小却差别很大,其中键能最高的键是:()。

A.C-F

B.C-Cl

C.C-Br

D.C-I

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第9题
单相桥式整流电容滤波电路如下图所示,已知交流电源频率f=50Hz,U2=15V,RL=50Ω。试决定滤波电容的大小,并求出

单相桥式整流电容滤波电路如下图所示,已知交流电源频率f=50Hz,U2=15V,RL=50Ω。试决定滤波电容的大小,并求出输出电压UO、流过二极管的平均电流及各管承受的最高反向电压。

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第10题
理论结晶温度与实际结晶温度之间的差称为____。其大小与____有关。

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第11题
垄断指在一个产品市场上只有少数买家或少数卖家。一般而言,发生市场垄断的原因包括()。

A.由资源的天然秉性带来产品的独特性

B.创新带来的垄断

C.成本特性产生的垄断

D.强制势力形成的垄断

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