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第6题
某机器的寻址空间为64K，数据总线为8位。现有8K×8位SRAM芯片，SRAM有CS和WE控制信号；4K×8位DRAM芯片
，DRAM有CS、wE等控制信号，数据总线是双向。CPU有MERQ、R／W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称； (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM，从A000H安排8K×8位DRAM，画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器，DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号)； (3)设DRAM读／写周期为0．5μs，CPU在1μs内要访问内存1次或2次，平均1μs访存约1．2次，刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式，采用哪种刷新方式比较合理，并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。
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第11题
下面关于合、分波板指标测试的描述，正确的是()
A.各通道插损的最大差异要求越小越好。
B.分波器的中心波长测试中，测试值只能选-3dB谱宽的中心波长，否则测试无法通过。
C.可以采用对应波长的OTU输出的信号做为分波板输入光源进行测试。
D.相邻通道隔离度要求越大越好，非相邻通道隔离度要求越小越好。
