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[判断题]

当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时,流过漏极的电流为零。()

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第1题
由555定时器构成的多谐振荡器及参数如图7.4.8所示,电压控制端通过电容接一个频率比电路振荡频率
低得多、幅值为1 V的正弦信号v5,电路的闽值电压VTH将发生变化。 (1)推导用正、负向阈值电压VT+和VT-表示vO高电平和低电平持续时间tpH和tpL的表达式; (2)计算电压控制端没接移v5时,电路的振荡频率和占空比;

(3)当电压控制端接v5时,分别计算阈值电压VTH达到最大值和最小值时的振荡频率和占空比。

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第2题
由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,VDD=5 V,VOH≈5 V,VOL1≈0

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,VDD=5 V,VOH≈5 V,VOL1≈0 V,VTH1=2.5 V。 (1)计算正向、负向阈值电压及回差电压。 (2)当阈值电压变为

时,若使回差电压不变,对电阻有何要求?此时正向、负向阈值电压为何值?

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第3题
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响,下列说法中正确的是()。

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

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第4题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下,其VT或VP值也已知,试判断该管工作在什么区域(
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下,其VT或VP值也已知,试判断该管工作在什么区域(

饱和区,可变电阻区,预夹断临界点或截止)。

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第5题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第6题
555定时器构成的基本施密特触发器没有外接控制电压时,正、负向阈值电压分别为________________和_
_______________,回差电压为________________。

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第7题
进行钢筋冷拉施工时,若采用冷拉应力控制,当冷拉应力为δ,冷拉率γ,下列( )情况是合格的。

A.δ达到控制值,γ未达到控制值

B.δ达到控制值,γ超过规定值

C.δ未达到控制值,γ未达到控制值

D.δ未达到控制值,γ超过规定值

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第8题
电压测量系统如图3.67所示。 输入电压et(t)V,输出位移y(t)cm,放大器增益K=10,丝杠每转螺距1m

电压测量系统如图3.67所示。

输入电压et(t)V,输出位移y(t)cm,放大器增益K=10,丝杠每转螺距1mm,电位计滑臂每移动1cm电压增量为0.4V。当对电机加10V阶跃电压时(带负载),稳态转速为1000 r/min,达到该值63.2%需要0.5s。画出系统方框图,求出传递函数Y(s)/E(s),并求系统单位阶跃响应的峰值时间tp、超调量σ%、调节时间ts和稳态值h(∞)。

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第9题
单限电压比较器如下图所示,求出它的阈值电压UT,画出其传输特性。

单限电压比较器如下图所示,求出它的阈值电压UT,画出其传输特性。

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第10题
已知某电子管栅极与阴极之间的电容C=200pF,试求当f1=1.8MHz载波频率及f2=3.4kHz调制频率时该电容所呈现的容

已知某电子管栅极与阴极之间的电容C=200pF,试求当f1=1.8MHz载波频率及f2=3.4kHz调制频率时该电容所呈现的容抗。

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第11题
二极管在电路中常作为无触点开关,当端电压低于门槛电压时,二极管______,当端电压达到导通电压时,二极管____
__。
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