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在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中，若R1=50kΩ，R2=100 kQ，VDD=5V，
由CMOS施密特与非门构成的门控多谐振荡器如图7．3．7所示。触发控制信号vI如图7．3．8(a)所示。
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(1)分析电路的工作原理，画出vC及vO的波形； (2)试写出该电路各个充、放电时间及振荡频率的表达式。
CMOS施密特与非门组成的电路如图7．3．3(a)所示，窄脉冲触发输入信号vI如图7．3．3(b)所示。已知R=5 kΩ，C=0．1μ F，VDD=5 V， VOH≈5 V，VILL≈0 V，VT+=3．3 V，VT-=1．8 V。 (1)分析电路的工作原理，画出vV及vO的波形(两个触发脉冲间隔的时间足够长)。 (2)计算输出高电平持续的时间。
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在图9．1．1用两级CMOS反相器组成的施密特触发器电路中，若R1=50 kΩ，R2=100 kΩ，VDD=5 V，
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试求电路的输入转换电平VT+，VT-和回差电压△VT。
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在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT。
(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。
(1)试分析电路的工作原理，该电路是什么电路？ (2)画出vR及vO的波形，计算输出脉冲宽度及最高工作频率。
