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[主观题]

习题8-19图所示电路中,已知is=10ε(t)A,R1=1Ω,R2=2Ω,C=1mF,uC(0-)=2V,g=0.25S。求全响应i1(t)、iC(t)、uC(t)。

习题8-19图所示电路中,已知is=10ε(t)A,R1=1Ω,R2=2Ω,C=1mF,uC(0-)=2V,g=0.25S。求全响应i1(t)、iC(t)、uC(t)。

习题8-19图所示电路中,已知is=10ε(t)A,R1=1Ω,R2=2Ω,C=1mF,uC(0-)

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第1题
试用齐性定理求解图所示电路中各支路电流I1~I5。已知US=100V,R1=R3=R5=4Ω,R2=R4=R6=10Ω。

试用齐性定理求解图所示电路中各支路电流I1~I5。已知US=100V,R1=R3=R5=4Ω,R2=R4=R6=10Ω。

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第2题
用戴维南定理求图(a)所示电路中通过R5的电流I。已知R1=R4=3Ω,R2=R3=6Ω,R5=2Ω,Us=9V

用戴维南定理求图所示电路中通过R5的电流I。R3=10Ω,U=6.5V。

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第3题
在习题5-18图(a)所示电路中,uS1=24V,uS2=6V,R1=12Ω,R2=6Ω,R3=2Ω。图(b)为经过电源变换后的等效电路。

在习题5-18图(a)所示电路中,uS1=24V,uS2=6V,R1=12Ω,R2=6Ω,R3=2Ω。图(b)为经过电源变换后的等效电路。

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第4题
在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10
在图LP4-52所示电路中;已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10

=90μA.试求T5、T6、T9各管的沟道宽长比.设器件的均相同,沟道长度调制效应忽略不计.

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第5题
在图9.3.1(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10 kΩ,R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器,VDD=15 V。

在图9.3.1(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10 kΩ,R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器,VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+,下限触发电平VT-和回差电压△VT. (2)若将图9.3.1(b)给出的电压信号加到图9.3.1(a)电路的输出端,试画出输出电压的波形。

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第6题
已知电路如图a所示,R1=200Ω,R2=300Ω,L=2H,C=10μF,f=50Hz,,试求和,并画出相量图。

已知电路如图a所示,R1=200Ω,R2=300Ω,L=2H,C=10μF,f=50Hz,,试求,并画出相量图。

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第7题
试求图(a)所示电路的输入阻抗。已知:L1=3mH,L2=20mH,M=5mH,C=100μF,R=10Ω,ω=500rad/s。

试求图(a)所示电路的输入阻抗。已知:L1=3mH,L2=20mH,M=5mH,C=100μF,R=10Ω,ω=500rad/s。

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第8题
已知电路如图a所示,,XC=10Ω,若要求uo滞后ui30°,试求电阻R值,并求、、uR、uo,画出相量图。

已知电路如图a所示,,XC=10Ω,若要求uo滞后ui30°,试求电阻R值,并求、uR、uo,画出相量图。

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第9题
已知电路如图a所示,R1=100Ω,L1=1H,C2=10μF,f=50Hz,U=10V,试求Y1、Y2、Y和、,并画出相量图。

已知电路如图a所示,R1=100Ω,L1=1H,C2=10μF,f=50Hz,U=10V,试求Y1、Y2、Y和,并画出相量图。

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第10题
已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图3.4.1(b)电路中,VCC=5 V

已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图3.4.1(b)电路中,VCC=5 V,RC=1 kΩ,三极管β=50,饱和时VCES=0.3 V,VBES=0.7 V。 (1)求Rb=10 kΩ,开关K分别置于0和1处时的VA,VB,VO。 (2)Rb短路,电路能否正常工作?若不能试求出Rb的最小允许值。 (3)为保证电路正常工作,Rb的最大值应为多少?

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第11题
图10.4.1所示电路是用十位集成R-2R倒T型数模转换器CB7520和74LS161组成的波形发生器电路。已知CB7

图10.4.1所示电路是用十位集成R-2R倒T型数模转换器CB7520和74LS161组成的波形发生器电路。已知CB7520参考电压VREF=-10 V,请求出vO的值,CB7520的电路结构如图10.3.2所示。

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