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关于两种半导体带电的说法,正确的是()。
A.P型半导体主要靠空穴导电,所以定是带正电
B.N型半导体主要靠电子导电,所以定是带负电
C.P型半导体和N型半导体对外都不导电
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A.P型半导体主要靠空穴导电,所以定是带正电
B.N型半导体主要靠电子导电,所以定是带负电
C.P型半导体和N型半导体对外都不导电
A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献
B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献
C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系
D.通过双极扩散的机构,电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端
E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的
A.在辐射复合过程中,电子从高能级向低能级跃迁,伴随着发射光子,就是半导体发光
B.处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合,才可能实现发光
C.在辐射复合过程中,电子从高能级向低能级跃迁,伴随着发射声子,就是半导体发光
D.在非辐射复合过程中,电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子,就是半导体发光
B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池
C、是光能转换成电能
D、能够产生有效的光生伏特效应,需要:光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离
E、是电能转换成光能
A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体,其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体,其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外,还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象
B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
A.由光激发产生的电子,无法到达导带,与留在价带中的空穴通过库仑力结合在一起,形成一种处于激发状态的新系统
B.新系统中的电子和空穴不能单独移动
C.整个系统呈电中性
D.激子具有和孤立氢原子相同的量子化能级
E.新系统中的电子和空穴可以单独移动
F.通常半导体材料中的激子在室温下就可以观察到