在大电流的情况下,导致双极型晶体管增益下降的原因是()。
A.发射极电流集边效应
B.发射结复合电流
C.Early效应
D.Webster效应
A.发射极电流集边效应
B.发射结复合电流
C.Early效应
D.Webster效应
单调谐放大器如下图(a)所示。中心频率f0=30MHz,晶体管工作点电流IEQ=2mA,回路电感L13=1.4μH,Q=100,匝数比n1=N13/N12=2,n2=N13/N45=3.5,GL=1.2mS,Goe=0.4mS,r'bb≈0,试求该放大器的谐振电压增益及通频带。
和动态MOS存储器相比,双极型半导体存储器的性能是________。
A.集成度高,存取周期快,位平均功耗少
B.集成度高,存取周期快,位平均功耗大
C.集成度低,存取周期快,位平均功耗大
9-5 设有一台3000V、6极、50HZ、975r/min的星接三相感异步电动机,每相参数如下:r1=0.42Ω,χ1=2.0Ω,r′2=0.45Ω,χ′2=2.0Ω,rm=4.67Ω,χm=48.7Ω,试分别用T型等效电路、较准确的近似等效电路和简化等效电路,计算在额定情况下的定子电流和转子电流。
A.集成度低,存取周期快,位平均功耗小
B.集成度高,存取周期快,位平均功耗小
C.集成度高,存取周期快,位平均功耗大
D.集成度低,存取周期快,位平均功耗大
反相(反极性)型开关稳压电路的主回路如图题11.3.3所示①,已知V1= +15V,Vo= -12V,控制电压vG为矩形波,电路中L,C为储能元件,D为续流二极管。(1)试分析电路的工作原理;(2)已知V1的大小和vG的波形,vG的占空比q=1/3时画出在vG作用下,在整个开关周期电感电流iL连续情况下vD、vDS,vL,iL和vo的波形,并说明v0与v1极性相反。