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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在大电流的情况下,导致双极型晶体管增益下降的原因是()。

A.发射极电流集边效应

B.发射结复合电流

C.Early效应

D.Webster效应

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第1题
开关型放大器工作在双极性工作制下会不会发生电流断续现象?为什么?
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第2题
单调谐放大器如下图(a)所示。中心频率f0=30MHz,晶体管工作点电流IEQ=2mA,回路电感L13=1.4μH,Q=100,匝数比n1=

单调谐放大器如下图(a)所示。中心频率f0=30MHz,晶体管工作点电流IEQ=2mA,回路电感L13=1.4μH,Q=100,匝数比n1=N13/N12=2,n2=N13/N45=3.5,GL=1.2mS,Goe=0.4mS,r'bb≈0,试求该放大器的谐振电压增益及通频带。

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第3题
和动态MOS存储器相比,双极型半导体存储器的性能是________。A.集成度高,存取周期快,位平均功耗少B

和动态MOS存储器相比,双极型半导体存储器的性能是________。

A.集成度高,存取周期快,位平均功耗少

B.集成度高,存取周期快,位平均功耗大

C.集成度低,存取周期快,位平均功耗大

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第4题
设有一台3000V、6极、50HZ、975r/min的星接三相感异步电动机,每相参数如下:

9-5 设有一台3000V、6极、50HZ、975r/min的星接三相感异步电动机,每相参数如下:r1=0.42Ωχ1=2.0Ωr2=0.45Ωχ′2=2.0Ωrm=4.67Ωχm=48.7Ω试分别用T型等效电路、较准确的近似等效电路和简化等效电路,计算在额定情况下的定子电流和转子电流。

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第5题
和动态MOS存储器相比,双极型半导体存储器的性能是______。

A.集成度低,存取周期快,位平均功耗小

B.集成度高,存取周期快,位平均功耗小

C.集成度高,存取周期快,位平均功耗大

D.集成度低,存取周期快,位平均功耗大

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第6题
以下关于晶体管开关电路的描述,正确是()。

A.维电器和晶体管都可以用小电流控制大电流

B.维电器和晶体管都不可以用小电流控制大电流

C.继电器有触点

D.晶体管没有触点

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第7题
用双极型三极管组成放大电路,有哪几种基本组态,它们在电路结构上有哪些相同点和不同点?

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第8题
反相( 反极性)型开关稳压电路的主回路如图题11.3.3所示①,已知V1= +15V,Vo= -12V,控制
反相(反极性)型开关稳压电路的主回路如图题11.3.3所示①,已知V1= +15V,Vo= -12V,控制

反相(反极性)型开关稳压电路的主回路如图题11.3.3所示①,已知V1= +15V,Vo= -12V,控制电压vG为矩形波,电路中L,C为储能元件,D为续流二极管。(1)试分析电路的工作原理;(2)已知V1的大小和vG的波形,vG的占空比q=1/3时画出在vG作用下,在整个开关周期电感电流iL连续情况下vD、vDS,vL,iL和vo的波形,并说明v0与v1极性相反。

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第9题
在______情况下,三相短路电流自始至终一样大。
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第10题
换流站两个极不应有共用设备,避免共用设备故障导致直流双极强迫停运。()
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第11题
()具有一定电压电流关系的独立器件,包括基本的电抗元件、机电元件、半导体分立器件二极管、双极三极管、场效应管、晶闸管等。

A.分立器件

B.集成器件

C.无源元件

D.有源元件

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