下列说法中,正确的是()。A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B.DRAM是易失性RAM,
下列说法中,正确的是()。
A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆
B.DRAM是易失性RAM,而SRAMt扣的存储信息是不易失的
C.半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息是不丢失的
D.半导体RAM是非易失性的RAM
下列说法中,正确的是()。
A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆
B.DRAM是易失性RAM,而SRAMt扣的存储信息是不易失的
C.半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息是不丢失的
D.半导体RAM是非易失性的RAM
下列关于磁盘的说法中,错误的是()。
A.本质上,优盘(U盘)是一种只读存储器
B.冗余磁盘阵列(RAID)不能应用于对数据可靠性要求高的场合
C.未格式化的硬盘容量要大于格式化后的实际容量
D.计算磁盘的存取时间时,“寻道时间”和“旋转等待时间”常取其平均值
A.早期:轻度骨质疏松
B.早期:软骨及骨的轻度破坏
C.中期:骨质疏松,运动受限
D.晚期:软骨与骨破坏,关节变形,桡侧偏位
E.末期:关节纤维性强直或骨性强直
下述说法中________是正确的。
A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆
B.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的
C.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉电时,所存信息是不易失的
A.PN结是P型,N型半导体混合制成的
B.PN结是P型,N型半导体相接触形成的
C.PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成
D.PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
A.只存在一种载流子:自由电子
B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成
在下列存储器中,访问速度最快的是()。
A.硬盘存储器
B.软盘存储器
C.半导体RAM(内存储器)
D.磁带存储器
A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大
B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同
D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
A.实现流媒体需要合适的缓存
B.媒体文件全部下载完成才可以播放
C.流媒体可用于远程教育、在线直播等方面
D.流媒体格式包括AS{。RM、RA等
A.按桩身材料强度计算单桩竖向承载力时,一律不计纵向压屈的影响
B.静荷载试验是评价单桩承载力最直接、最可靠的方法
C.将单桩竖向极限承载力除以安全系数3,作为单桩竖向承载力特征值Ra
D.按静荷载试验确定的单桩水平承载力可高于其竖向承载力