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[主观题]

下列说法中,正确的是()。A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B.DRAM是易失性RAM,

下列说法中,正确的是()。

A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

B.DRAM是易失性RAM,而SRAMt扣的存储信息是不易失的

C.半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息是不丢失的

D.半导体RAM是非易失性的RAM

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第1题
下列关于磁盘的说法中,错误的是()。A.本质上,优盘(U盘)是一种只读存储器B.冗余磁盘阵列(RA

下列关于磁盘的说法中,错误的是()。

A.本质上,优盘(U盘)是一种只读存储器

B.冗余磁盘阵列(RAID)不能应用于对数据可靠性要求高的场合

C.未格式化的硬盘容量要大于格式化后的实际容量

D.计算磁盘的存取时间时,“寻道时间”和“旋转等待时间”常取其平均值

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第2题
RA影像学改变分级中,下列说法错误的是()

A.早期:轻度骨质疏松

B.早期:软骨及骨的轻度破坏

C.中期:骨质疏松,运动受限

D.晚期:软骨与骨破坏,关节变形,桡侧偏位

E.末期:关节纤维性强直或骨性强直

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第3题
下述说法中________是正确的。A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B.半导体RAM是易失性

下述说法中________是正确的。

A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

B.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的

C.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉电时,所存信息是不易失的

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第4题
关于PN结下列说法正确的是:()。

A.PN结是P型,N型半导体混合制成的

B.PN结是P型,N型半导体相接触形成的

C.PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成

D.PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的

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第5题
关于N型半导体的下列说法,正确的是()。

A.只存在一种载流子:自由电子

B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成

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第6题
下列传感器中()是基于压阻效应的。

A.金属应变片

B.半导体应变片

C.压敏电阻

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第7题
在下列存储器中,访问速度最快的是()。A.硬盘存储器B.软盘存储器C.半导体RAM(内存储器)D.磁带

在下列存储器中,访问速度最快的是()。

A.硬盘存储器

B.软盘存储器

C.半导体RAM(内存储器)

D.磁带存储器

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第8题
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响,下列说法中正确的是()。

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

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第9题
关于流媒体技术,下列说法中错误的是()。

A.实现流媒体需要合适的缓存

B.媒体文件全部下载完成才可以播放

C.流媒体可用于远程教育、在线直播等方面

D.流媒体格式包括AS{。RM、RA等

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第10题
对单桩的竖向和水平承载力的确定,下列说法中正确的是()。

A.按桩身材料强度计算单桩竖向承载力时,一律不计纵向压屈的影响

B.静荷载试验是评价单桩承载力最直接、最可靠的方法

C.将单桩竖向极限承载力除以安全系数3,作为单桩竖向承载力特征值Ra

D.按静荷载试验确定的单桩水平承载力可高于其竖向承载力

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