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[主观题]

放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的

放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响,试求该电路的Aus0、fH和G·BW。

放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=

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第1题
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分放

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分放

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第2题
差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

(1)静态工作点ICQ、UCEQ;

(2)rbe

(3)电压放大倍数Au

差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分电路如下

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第3题
共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特

共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特图。

共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL

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第4题
放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,则该电路中三极管工作在( )。放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,则该电路中三极管工作在( )。

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.无法确定

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第5题
放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,UBE=0.7V

放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,UBE=0.7V

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第6题
两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。

两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。

两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。两级放大

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第7题
两级阻容耦合放大电路如下图所示,设晶体管V1、V2的β=100,rbe1=2kΩ,rbe2=1kΩ,试:

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第8题
放大电路如下图所示,已知三极管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试:

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第9题
场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,  场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

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第10题
电路如下图所示,已知VCC=VBE=20V,RL=10Ω,晶体管的饱和压降UCE(sat)≤2V,输入电压ui为正弦信号。 试:

电路如下图所示,已知VCC=VBE=20V,RL=10Ω,晶体管的饱和压降UCE(sat)≤2V,输入电压ui为正弦信号。

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试求:输出电压的有效值U0为多少

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