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第1题
对兴奋性突触后电位产生过程的描述，错误的是（） A. 突触前膜去极化B. Ca2+促进小泡释放递质C.
对兴奋性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
A. 突触前膜去极化
B. Ca2+促进小泡释放递质
C. 递质与后膜受体结合
D. 后膜主要对Cl-通透性增高
E. 后膜发生局部去极化
第2题
突触前抑制的特点是A．突触前膜超极化B．突触前轴突末梢释放抑制性递质C．突触后膜的兴奋性降低D．突
突触前抑制的特点是
A．突触前膜超极化
B．突触前轴突末梢释放抑制性递质
C．突触后膜的兴奋性降低
D．突触后膜的兴奋性突触后电位降低
E．通过轴突一树突突触的活动实现
第6题
兴奋性突触后电位（EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的A．K+、Na+，尤其是K+B．K+、Na
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的
A．K+、Na+，尤其是K+
B．K+、Na+，尤其是Na+
C．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Cl-
D．K+、Na+、Cl-，尤其是Cl-
E．K+、Cl-，尤其是Cl-
第10题
兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对（)的通透性。
A.钾、钠、氯离子，尤其是钾离子
B.钾、钠、氯离子，尤其是钠离子
C.钙、钾、氯离子，尤其是钾离子
D.钾、氯离子，尤其是氯离子
