题目内容
（请给出正确答案）
从复合动力学理论，证明深能级Et上单个电子和空穴的发射概率分别为
en(Et，T)=σnVthNcexp[-(Ec-Et)/k0T]
ep(Et，T)=σpVth]Nvexp[-(Et-Ev)/k0T]
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A.在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，就是半导体发光
B.处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合，才可能实现发光
C.在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射声子，就是半导体发光
D.在非辐射复合过程中，电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子，就是半导体发光
设质量为m的粒子在半壁无限高的一维方阱中运动，此方阱的表达式为
试求在
的束缚情况下：
(1)粒子能级的表达式;
(2)证明在此阱中至少存在一个束缚态的条件是，阱深V0和阱宽a之间满足关系式：
A.燃柴
B.燃煤
C.燃油、
D.燃气
A.架空线必须架设在专用电杆或树木上，严禁架设在脚手架及其他设施上
B.电杆埋深宜为杆长的1/10加0.6m。在松软土质处宜加大埋入深度或采用卡盘等加固
C.动力、照明线在同一横担上架设时，导线相序排列是，面向负荷从左侧起依次为L1、N、L2、L3、PE
D.动力、照明线在二层横担上分别架设时，导线相序排列是，上层横担面向负荷从左侧起依次为L1、L2、L3,下层横担面向负荷从左侧起依次为L1(L2、L3)、N、PE
A.N
B.2N
C.N2
D.8N
