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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高 Ⅱ．SRAM比DRAM成本高 Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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更多“下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．SRAM…”相关的问题

第1题

下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是______。

A.SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

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第2题

下面是有关DRAM和sRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM存储单元的结构比sRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第3题

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：I，DRAM芯片的集成度比SRAM高II，DRAM芯片的成本比SRAM高II

I，DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ，DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是（）。

A．I和II

B．II和III

C．III和Ⅳ

D．I和Ⅳ

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第4题

具有（行地址选通)和（列地址选通)信号引脚的半导体存储器芯片是（)。

A.SRAM

B.DRAM

C.EOROM

D.FlashMemory

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第5题

试比较SRAM、DRAM、FlashMemory的性能特点。若某应用设计需要一种既可高速改写，又能在掉电时保存数

据的存储器，可采用哪类芯片或哪种技术？

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第6题

某机器的寻址空间为64K，数据总线为8位。现有8K×8位SRAM芯片，SRAM有CS和WE控制信号；4K×8位DRAM芯片

，DRAM有CS、wE等控制信号，数据总线是双向。CPU有MERQ、R／W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称； (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM，从A000H安排8K×8位DRAM，画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器，DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号)； (3)设DRAM读／写周期为0．5μs，CPU在1μs内要访问内存1次或2次，平均1μs访存约1．2次，刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式，采用哪种刷新方式比较合理，并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。

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第7题

下列关于SRAM和DRAM的论述中，错误的是（)。A．SRAM通常用于实现CaChe，DRAM用于实现主存B．由

下列关于SRAM和DRAM的论述中，错误的是()。

A．SRAM通常用于实现CaChe，DRAM用于实现主存

B．由于容量大，DRAM采用行列地址复用技术，地址引脚数量仅为地址宽度的一半

C．控制线RAS和CAS是DRAM特有的，分别控制从地址线上读行地址和列地址

D．SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS

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第8题

下列关于存储器的论述中，正确的是（)。A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高B．常用

下列关于存储器的论述中，正确的是()。