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[主观题]

第二系列过渡元素(从Y到Cd)的密度p是核电荷Z值的函数。试从金属键理论的角度解释下图所示趋势。

第二系列过渡元素(从Y到Cd)的密度p是核电荷Z值的函数。试从金属键理论的角度解释下图所示趋势。

第二系列过渡元素(从Y到Cd)的密度p是核电荷Z值的函数。试从金属键理论的角度解释下图所示趋势。第二

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第1题
第二系列过渡元素(从Y到Cd)的密度ρ是核电荷Z值的函数。试从金属键理论的角度解释下图所示趋势。

第二系列过渡元素(从Y到Cd)的密度ρ是核电荷Z值的函数。试从金属键理论的角度解释下图所示趋势。

第二系列过渡元素(从Y到Cd)的密度ρ是核电荷Z值的函数。试从金属键理论的角度解释下图所示趋势。第二

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第2题
在线性空间P[x]3中取两个基(1)求从基I到基II的过渡矩阵P;(2)已知f(x)∈P[x]3在基I下的
在线性空间P[x]3中取两个基(1)求从基I到基II的过渡矩阵P;(2)已知f(x)∈P[x]3在基I下的

在线性空间P[x]3中取两个基在线性空间P[x]3中取两个基(1)求从基I到基II的过渡矩阵P;(2)已知f(x)∈P[x]3在基

(1)求从基I到基II的过渡矩阵P;

(2)已知f(x)∈P[x]3在基I下的坐标为(1,0,-2,5)T,g(x)∈P[x]3在基II下的坐标为(7,0,8,2)T,求f(x)+g(x)分别在基I和基II下的坐标。

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第3题
P区元素主要由哪些元素构成?()

A.金属元素

B.非金属元素

C.稀有气体

D.过渡元素

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第4题
发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片,在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫 发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。对文段理解不正确的是()。

A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术

B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成

C.PN结位于P型半导体和n型半导体的过渡层上

D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

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第5题
锆和铪分属第4族第二和第三过渡系的元素,但它们的原子半径却近似相等。如何用镧系收缩解释这种现
象?

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第6题
等截面直杆CD位于两块夹板之间,如图示。杆件与夹板间的摩擦力与杆件自重保持平衡。设杆CD两侧的
摩擦力沿轴线方向均匀分布,且两侧摩擦力的集度均为q,杆CD的横截面面积为A,质量密度为P,试问下列结论中哪一个是正确的?()

等截面直杆CD位于两块夹板之间,如图示。杆件与夹板间的摩擦力与杆件自重保持平衡。设杆CD两侧的摩擦力

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第7题
社会主义过渡时期是指从1949年新中国成立到1956年社会主义改造完成,是新民主主义社会向社会主义社会过渡的时期()
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第8题
短时记忆一般指保持时间在一分钟以内的记忆,是信息从瞬时记忆到长时记忆之间的过渡环节,其容量有限且容易受到干扰。()
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第9题
急慢性白血病/NHL/MDS全面CD系列检测(40CD)并不是40个CD的检查()
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第10题
当数组有20个元素时,则数组的下标是从0到19。()
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