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[单选题]

我国关于集成电路布图设计专有权的保护期限为( )。

A.5年

B.8年

C.10年

D.15年

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第1题
在我国,布图设计专有权经国务院知识产权行政部门登记产生,未经登记的布图设计不受《集成电路布图设计保护条例》保护。()
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第2题
依据我国《集成电路布图设计保护条例》和《集成电路知识产权条约》的规定,下列表述中正确的表述是:()

A. 外国人在中国境内创作的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。

B. 外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的,依照本条例享有布图设计专有权。

C. 外国人在同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的国家领土内首先投入商业利用的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。

D. 外国人在同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的国家境内创作的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。

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第3题
外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的,依照《集成电路布图设计保护条例》享有布图设计()。

A.专有权

B.所有权

C.专利权

D.著作权

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第4题
外国人创作的布图设计首先在中国境内投入()的,依照《集成电路布图设计保护条例》享有布图设计专有权。

A.工业生产

B.批量生产

C.商业利用

D.销售

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第5题
集成电路布图设计专有权权项有()。

A.商业运用权、签名权

B.复制权、商业运用权

C.发行权、转让权

D.签名权、发行权

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第6题
转化项目认定的政策有效期为自认定次月起2年,项目核心技术拥有国内发明专利授权或集成电路布图设计专有权的项目,有效期为2年。()
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第7题
在我国,布图设计专有权的保护期为10年,自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算,以较前日期为准。()
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第8题
受保护的集成电路布图设计应当具有()。

A.独创性

B.创造性

C.开拓性

D.新颖性

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第9题
和《集成电路条约》相比,TRIPS对集成电路布图设计保护水平的提高表现在哪些方面?

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第10题
WTO《与贸易有关的知识产权协议》所保护的知识产权包括()。

A.商标

B.商业秘密

C.版权

D.集成电路布图设计

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