如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
A.在垂直于传播方向和平行于入射表面的方向上偏振
B.在传播方向与入射表面的法线成45°角的方向上偏振
C.在垂直于入射表面的方向上偏振
D.在垂直于传播方向和与入射表面成45°角的方向上偏振
在反应中,入射π介子的动量为12GeV/c,玻色子共振态X一的质量为2.4GeV/c2,试求散射质子与入射束间最大夹角及这时的质子动量.