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[单选题]

刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C. 光刻胶

D.去离子水

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第1题
()的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

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第2题
成形速度最快的是()。

A.立体光刻

B.分层实体制造

C.熔融沉积成型

D.选择性激光烧结

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第3题
把折射率n=1.40的透明薄膜,放在迈克尔孙干涉仪的一个光臂上,如图所示。已知光源是波长λ=5893A的水银灯;测

把折射率n=1.40的透明薄膜,放在迈克尔孙干涉仪的一个光臂上,如图所示。已知光源是波长λ=5893A的钠光;测得放入薄膜时使条纹移过的数目△k=7.0条。求薄膜的厚度。

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第4题
离子束加工分为( )。

A.离子刻蚀

B.离子溅射沉积

C.离子焊接

D.离子镀

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第5题
以下哪一种不属于量子点的外延生长方法________?

A.离子束刻蚀法

B.MOCVD

C.化学气相沉积法

D.MBE

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第6题
化学机械研磨技术,兼具有研磨性物质的()研磨与酸碱溶液的()研磨两种作用,可以使晶圆表面达到全面性的平坦化,以利于后续薄膜沉积之进行。

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第7题
在单井综合评价的地层评价中,应利用录井资料和分析化验资料对沉积环境进行分析,沉积环境分析包括了旋回分析、沉积厚度及微相分析三方面的内容。()
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第8题
CVD反应体系必须具备的条件有()。

A.在沉积温度下,反应物具有足够高的蒸气压,并能以适当的速度被引入反应室

B.反应产物除了形成固态薄膜物质外,都必须是挥发性的

C.沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压,以保证在反应中能保持在受热的基体上,不会挥发

D.作为涂层的分解或还原产物在作业温度下必须是易挥发的固相物质

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第9题
沉积煤尘是指井下巷道堆积有厚度超过2㎜,过续长度超过5m的煤尘。()
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第10题
锂金属的微观形状在充放电过程

中会发生剧烈变化,从而导致金属锂的锂枝晶的析出。锂枝晶不仅会降低电池的容量,还可能造成电池内短路,诱发起火和爆炸等安全事故。如果将一层厚度仅约1微米的橡皮泥涂在锂金属表面,可以近乎完美的保护锂金属电极。在正常的充放电过程中,锂金属在电极表面均匀沉积,对橡皮泥的作用力很小。软软的橡皮泥可以很好地适应锂金属的形状和体积变化,牢牢地贴在锂的表面,起到保护涂层的作用。一旦在某些区域有锂枝晶“刺出”,橡皮泥涂层就会迅速变硬,从而有效阻挡锂枝晶的生长。

这段文字主要介绍的是:

A. 锂电池发展的历史

B. 锂电池容量的影响因素

C. 橡皮泥涂层提高锂电池性能的机理

D. 锂枝晶的危害及抑制方法

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第11题
低温镀铁修理立柱的优点之一是沉积速度快,温度在35~45℃时1h可使镀层增加0.6mm左右的厚度。()
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