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[主观题]
制造半导体元件的纯净锗必须仅含有10-9杂质原子,若将锗的结构看作为立方点阵,晶格常量设为0.5nm,试估计杂质
制造半导体元件的纯净锗必须仅含有10-9杂质原子,若将锗的结构看作为立方点阵,晶格常量设为0.5nm,试估计杂质原子之间的距离.
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制造半导体元件的纯净锗必须仅含有10-9杂质原子,若将锗的结构看作为立方点阵,晶格常量设为0.5nm,试估计杂质原子之间的距离.
A.只要持续加大研发投入,我国就能在短时间内掌握芯片的核心技术
B.目前我国的光芯片已全部实现国产,仅部分电芯片依赖进口。华为是核心电子元器件自主率最高的中国企业,当然,它也有大量的电子元器件需要进口
C.光刻机是生产大规模集成电路的核心设备,近年来我国在该领域取得一些技术突破,但仍未掌握制造高端光刻机的核心技术
D.我国现已掌握芯片的核心技术,只是目前仅限于军用,只要做好该项技术的军转民,我国民用芯片技术就能达到世界领先水平
A.氧化还原反应:元素化合价是否变化
B.纯净物与混合物:是否仅含有一种元素
C.强弱电解质:溶液的导电能力大小
D.溶液与胶体:本质不同的原因是能否发生丁达尔效应
劈尖,利用等厚条纹测出其厚度。已知Si的折射率为3.42,SiO2的折射率为1.5,入射光的波长为589.3nm,观察到7条暗纹(图21-13)。问SiO2薄膜的厚度e是多少?