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[多选题]
在研究某金属的光电效应现象时，发现当入射光的频率为以时，其遏止电压为U.已知普朗克常数为h，电子电量大小为e，下列说法正确的是（）
A.该金属的截止频率为
B.该金属的逸出功为
C.增大入射光的频率，该金属的截止频率增大
D.增大入射光的频率，该金属的遏止电压增大
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A.该金属的截止频率为
B.该金属的逸出功为
C.增大入射光的频率，该金属的截止频率增大
D.增大入射光的频率，该金属的遏止电压增大
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A.金属内的每个电子要吸收一个或一个以上的光子,当它积累的能量足够大时,就能逸出金属
B.如果入射光子的能量小于金属表面的电子克服原子核的引力而逸出时所需做的最小功,便不能发生光电效应
C.发生光电效应时,入射光越强,光子的能量就越大,光电子的最大初动能就越大
D.由于不同金属的逸出功是不相同的,因此使不同金属发生光电效应的入射光的最低频率也不同
A.当光频率v高于阈值频率时，光电流i的产生几乎是瞬时的
B.当光频率高于阈值频率，且减速势V固定时，光电流i与入射光强I成正比
C.当光频率高于阈值频率，且入射光强I固定时，光电流i随减速势V的增加而减小
D.对于特定表面，遏止电压V依赖于光强I，与光频率v无关
A.任何波长的可见光照射到任何金属表面都能产生光电效应
B.若入射光的频率均大于一给定金属红限，则当该金属受到不同频率，但相同强度的光的照射时，单位时间释放出的光电子的数目也将不同
C.若入射光的频率均大于一给定金属红限，则当该金属受到不同频率，但强度增大一倍时，该金属的饱和电流将保持不变
D.若入射光的频率均大于一给定金属红限，则当该金属受到不同频率，但相同强度的光的照射时，释放出的光电子的最大初动能也将不同
如图所示，向半导体加一磁场B，从垂直于B的方向以
的光(光强为I)入射于半导体，在半导体表面附近产生电子—空穴对，当电子和空穴向半导体体内扩散时，受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离，于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
A.不发生电子对效应
B.相干散射不产生电离过程
C.康普顿效应产生的几率与入射光子的能量成反比
D.光电效应产生的几率与能量成正比
E.不发生光核反应
A.卢瑟福通过对α粒子散射实验结果的分析，提出了原子核内有中子存在
B.核泄漏事故污染物13755Cs能够产生对人体有害的辐射，其核反应方程式为13755Cs→13756Ba＋X，可以判断X为电子
C.若氢原子从n＝6能级向n＝1能级跃迁时辐射出的光不能使某金属发生光电效应，则氢原子从n＝6能级向n＝2能级跃迁时辐射出的光也不能使该金属发生光电效应
D.质子、中子、α粒子的质量分别是m1、m2、m3，质子和中子结合成一个α粒子，释放的能量是（ 2m1＋2m2－m3）c2
