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如果将两个100Ω的电阻应变片平行于轴线方向粘贴在钢制圆柱形试件上，试件横截面面积为0.5×10-4m2，材料的弹性模量E=200GN/m2，由50kN的拉力所引起的应变片电阻变化为1Ω。把它们接入惠斯登电桥中，电桥供电电压为1V，求应变片灵敏度系数和电桥输出的电压。
答案
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1. 如图所示一直流应变电桥。图中U=4V, R1=R2=R3=R4=120Ω，试求： （1）R1为金属应变片，其余为外接电阻。当R1的增量为△ R1=1.2Ω 时，电桥输出电压U0为多少？ （2）R1、R2都是应变片，如果R1、R2感受应变的极性相反，R1阻值增加，R2阻值减小，且|△ R1|= | △R2 | =1.2Ω，电桥输出电压U0为多少 ？
将下列形位公差要求标注在图上。
①两个
25mm孔的轴线的同轴度公差0.02mm；
②平面A对两个
25mm孔的公共轴线的平行度公差0.015mm；
③相距60mm的两平行平面的中心平面对平面A的垂直度公差0.03mm；
④宽度为10mm的槽相对于相距60mm的两平行平面中心的对称度公差0.04mm；
⑤平面A的平面度公差0.01mm。
电阻应变片的灵敏度 表达式为
，对于金属应变片来说：S=___，而对于半导体应变片来说S=___。
现在已确认原子核都具有自旋角动量，好像它们都围绕自己的轴线旋转运动。这种运动就叫自旋(图10-1)，自旋角动量是量子化的。在磁场中其自旋轴的方向只能取某些特定的方向，如与外磁场平行或反平行的方向。由于原子核具有电荷，所以伴随着自旋，它们就有自旋磁矩，如小磁针那样。通常以μ0表示自旋磁矩。磁矩在磁场中具有和磁场相联系的能量。例如，μ0和磁场B平行时能量为-μ0B，其值较低；μ0和磁场B反平行时能量为+μ0B．其值较高。
现在考虑某种晶体中由N个原子核组成的系统，并假定其磁矩只能取与外磁场平行或反平行两个方向。对此系统如一磁场B后，最低能量的状态应是所有磁矩的方向都平行于磁场B的状态，如图10-2(a)所示，其中小箭头表示核的磁矩。这时系统的总能量为E=-Nμ0B0。当逐渐增大系统的能量时(如用频率适当的电磁波照射)，磁矩与B的方向相同的核数n将逐渐减少，而磁矩与B反平行的能量较高的核的数目将增多，如图10-2(b)、(c)、(d)依次所示。当所有核的磁矩方向都和磁场B相反时(图10-2(e))，系统的能量到了最大值E=+Nμ0B，系统不可能具有更大的能量了。
