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A.三极管的输入特性曲线是集-射极电压Vce为常数时，输入电路中基极电流与基射极电压Vbe之间的关系曲线
B.三极管的输出特性指当基极电流Ib为常数时，输出电路中集电极电流Ic与集-射极电压Vce之间的关系曲线
C.在不同的基极电流Ib下，可得出相同的输出特性曲线，所以三极管的输出特性曲线是一条曲线
D.三极管的伏安特性曲线能直观地描述各极间电压与各极间电流之间的关系
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A.三极管的输入特性曲线是集-射极电压Vce为常数时，输入电路中基极电流与基射极电压Vbe之间的关系曲线
B.三极管的输出特性指当基极电流Ib为常数时，输出电路中集电极电流Ic与集-射极电压Vce之间的关系曲线
C.在不同的基极电流Ib下，可得出相同的输出特性曲线，所以三极管的输出特性曲线是一条曲线
D.三极管的伏安特性曲线能直观地描述各极间电压与各极间电流之间的关系
图LP2-14(a)所示放大电路中，硅NPN晶体三极管β=100，ICEO≈0，IC=2 mA，VBE(on)=0．7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5～7)V，试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管，电源电压数值不变，试问晶体管与外电路应如何连接，为保持集电极电压|VO|、电流IC不变，试计算R1、R2值。
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生_______失真。
A．截止失真
B．饱和失真
C．双向失真
D．线性失真
A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒，是一种半导体探测器
B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成
C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号
D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数
E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体，在X线照射下会有导电现象，且导电率随X线强度的增加而增加
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
A.NPN 型硅管
B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
