题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于PN结，下列（）说法是错误的。
A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成
B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来
C.PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通
D.PN结加反向电压时，反向电流值很大,PN结截止
查看答案
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成
B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来
C.PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通
D.PN结加反向电压时，反向电流值很大,PN结截止
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“关于PN结，下列（）说法是错误的。”相关的问题
A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等
D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似
A.PN结是P型，N型半导体混合制成的
B.PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C.PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成
D.PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
A.没有固定要求
B.要想快速测温,应该选用利用PN结形成的集成温度传感器
C.要想快速测温，应该选用热电阻式温度传感器
D.要想快速测温，应该选用热电偶温度传感器
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ，通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
A.二极管温度传感器的原理是PN结的电流随温度而变化
B.二极管温度传感器的原理是PN结的电压随温度而变化
C.三极管不可以代替二极管做成温度传感器
D.其它选项都对
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
A.对拉结件进行试验验证
B.选用安全、可靠、耐久的拉结件
C.拉结件布置和锚固构造须详细设计
D.夹心保温板应该一次制作，整体成形
B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池
C、是光能转换成电能
D、能够产生有效的光生伏特效应，需要：光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离
E、是电能转换成光能
