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第1题
图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不
计.(1)试指出放大电路由哪两种组态组合而成.(2)写出R1、R0、Av的表达式.
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第2题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V卐
电路如图题4.6.2（主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V卐
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电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
第3题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
第5题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
第6题
题图E6-32是两级放大电路，前级为场效应管放大电路，后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS，UBE⌘
题图E6-32是两级放大电路，前级为场效应管放大电路，后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS，UBE=0.6V，β=80，试求:(1)放大电路的总电压放大倍数;(2)放大电路的输入电阻和输出电阻。
第7题
在图4.8放大电路中，已知VCC=20V，UBEQ=0.7V，RB=500kΩ，RC=6kΩ，RL=4kΩ，晶体管的β=45，试求：
在图4.8放大电路中，已知VCC=20V，UBEQ=0.7V，RB=500kΩ，RC=6kΩ，RL=4kΩ，晶体管的β=45，试求：
第8题
在图4.8所示的放大电路中VCC=20V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，RL=5kΩ，晶体管的输出特性已给出，如图4.12（b)所示，试画出
在图4.8所示的放大电路中VCC=20V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，RL=5kΩ，晶体管的输出特性已给出，如图4.12(b)所示，试画出其交流负载线。
第10题
在图LP2－17所示放大电路中，已知VBE（on)1=0．7 V，VBE（on)2=－0．25 V，β1=β2=100，试求T1和T2管的集电
在图LP2-17所示放大电路中，已知VBE(on)1=0．7 V，VBE(on)2=-0．25 V，β1=β2=100，试求T1和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。
第11题
在图4－55所示差分放大电路中，已知RC=50kΩ，R1=10kΩ，R2=3.5kΩ，VCC=10V，VEE=－10V，β=100，试求最大输入共模电压
在图4-55所示差分放大电路中，已知RC=50kΩ，R1=10kΩ，R2=3.5kΩ，VCC=10V，VEE=-10V，β=100，试求最大输入共模电压范围Vic。设T1、T2、T3管的饱和压降VCE(sat)均为0.3V。
