题目内容
（请给出正确答案）
有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm…”相关的问题
考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，τp=0.5μs，Dn=9.3cm2/s，Dp=2.5cm2/s，IL=95mA．在室温下：
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s)，n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s)，锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为
，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)
A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等
D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似
在一块N型Si衬底上，通过离子注入方式形成一个PN结二极管，其纵向剖面如下图所示。
(1)分别画出采用负胶和正胶工艺形成这个PN结二极管时所采用的掩模板的形貌，即P区、N区和P区的形成。
(2)如果制作小尺寸的PN结二极管，采用负胶还是正胶，为什么?
