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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

提高均匀基区晶体管放大系数的措施通常是()。

A.提高

B.降低

C.提高

D.降低

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第1题
对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。()
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第2题
在双极型晶体管中,提高集电区掺杂浓度可以抑制:()。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第3题
漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。()
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第4题
下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点()。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第5题
考察PNP型双极型晶体管内部载流子的输运过程,发射效率项定义为注入到基区的电子电流与发射极总电流之比。()
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第6题
以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为()。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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第7题
考虑基区宽度调制效应,在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。()
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第8题
温度对晶体管放大系数影响较小。()
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第9题
刻槽埋栅电池的叙述不正确优点是()。

A.埋栅电报处实行重掺杂有利于形成欧姆接触,提高电池的开路电压

B. 栅指电极埋入电池表面无遮光,提高短路电流密度

C. 埋栅电极深入到硅衬底内部增加了基区光生电子复合

D. 淡磷扩散减少“死层”的形成,增加对长波的响应

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第10题
设置合适的静态工作点的目的是()。

A.增加放大倍数

B.提高输出功率

C.使晶体管工作在合适的区域

D.改变输入电阻

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第11题
征收进口附加税通常是一种特定的长期性措施。()
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