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[判断题]

考察PNP型双极型晶体管内部载流子的输运过程，发射效率项定义为注入到基区的电子电流与发射极总电流之比。（)

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第1题

在恒流源电路中，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第2题

当发射结承受反向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第3题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点（）。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第4题

在双极型晶体管放大电路中，求其静态工作点，就是要求出()的值。

在双极型晶体管放大电路中，求其静态工作点，就是要求出（)的值。

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第5题

当输入信号接入发射极、负载接到集电极时，双极型晶体管放大电路构成（)组态。

A.共基极

B.共发射极

C.共集电极

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第6题

在大电流的情况下，导致双极型晶体管增益下降的原因是（）。

A.发射极电流集边效应

B.发射结复合电流

C.Early效应

D.Webster效应

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第7题

在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第8题

测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为（)。

A.NPN型锗管

B.NPN型硅管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

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第9题

将一n型锗切成厚度为2α的大簿片，样品的长和宽足够大，使得边界效应可以忽略，从而使样品中光生载流子的输运基

本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。

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第10题

双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。（)

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第11题

MOS管的栅极与双极型三极管的（)相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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