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第1题
下列关于存储器的论述中，正确的是（)。A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高B．常用
下列关于存储器的论述中，正确的是()。
A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高
B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”
C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新
D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高
第2题
在一个共源放大电路中，已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27，MOS管的
Cgm=0.3 pF，Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH＞10MHz，试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大，其影响可以忽略。
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第4题
和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少B
和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。
A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少
B．集成度高，存取周期快，位平均功耗大
C．集成度低，存取周期快，位平均功耗大
第5题
和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是______。
A.集成度低，存取周期快，位平均功耗小
B.集成度高，存取周期快，位平均功耗小
C.集成度高，存取周期快，位平均功耗大
D.集成度低，存取周期快，位平均功耗大
第9题
两个参数对称的三极管组成差动电路，在双端输入和单端输出时，与单管共射电路相比其输出电阻（)
两个参数对称的三极管组成差动电路，在双端输入和单端输出时，与单管共射电路相比其输出电阻()。
A. 高两倍
B.低两倍
C. 相同
第11题
推导结型场效应四级管的电流-电压关系，在该四级管中，两个栅极是分开的，两个栅上的外加电压为VG1和VG2．假设
推导结型场效应四级管的电流-电压关系，在该四级管中，两个栅极是分开的，两个栅上的外加电压为VG1和VG2．假设为单边突变结．
