题目内容
（请给出正确答案）
关于SRAM和DRAM，下列叙述中正确的是（）。
A．通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为1，无电荷为0
B．DRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1
C．SRAM速度较慢，但集成度稍高；DRAM速度稍快，但集成度低
D．SRAM速度较快，但集成度稍低；DRAM速度稍慢，但集成度高
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A．RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类
B．SRAM的集成度比DRAM高
C．DRAM的存取速度比SRAM快
D．RAM中存储的数据无须“刷新”
A.SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失
B.SRAM的集成度比DRAM高
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
A.静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新
B.DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
下列叙述中，正确的是()。
A.假若CPU向外输出20位地址，则它能直接访问的存储空间可达1MB
B.PC在使用过程中突然断电，SRAM中存储的信息不会丢失
C.PC在使用过程中突然停电，DRAM中存储的信息不会丢失
D.外存储器中的信息可以直接被CPU处理
下列关于SRAM和DRAM的论述中，错误的是()。
A．SRAM通常用于实现CaChe，DRAM用于实现主存
B．由于容量大，DRAM采用行列地址复用技术，地址引脚数量仅为地址宽度的一半
C．控制线RAS和CAS是DRAM特有的，分别控制从地址线上读行地址和列地址
D．SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
下列关于存储器的论述中，正确的是()。
A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高
B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”
C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新
D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高
A．I和II
B．II和III
C．III和Ⅳ
D．I和Ⅳ
下列关于主存储器的说法正确的是()
A．主存储器只能存放计算机当前正在执行的程序和数据
B．主存可分为RAM和ROM两类，其中ROM容量较大
C．RAM可分为SRAM和DRAM
D．以上说法都是正确的
