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[主观题]

已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2.3.12所示。OC门的参数VOL=0.3 V,IOL(max)=8 mA,发光二极

已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2.3.12所示。OC门的参数VOL=0.3 V,IOL(max)=8 mA,发光二极管正向导通压降VF=1.6 V,正向电流ID=5 mA。试确定上拉电阻R的值。

已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2.3.12所示。OC门的参数VOL=0.3 V,IOL(ma

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第1题
由OD与非门驱动发光二极管电路如图2.4.10所示,已知与非门的IOL=24 mA,IOH=24 mA,VOL=0.4 V,VOH=5
V;发光二极管正向导通压降VF=2 V,正向导通电流ID=10 mA,试确定限流电阻R的取值。

由OD与非门驱动发光二极管电路如图2.4.10所示,已知与非门的IOL=24 mA,IOH=24 m

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第2题
已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图3.4.1(b)电路中,VCC=5 V

已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图3.4.1(b)电路中,VCC=5 V,RC=1 kΩ,三极管β=50,饱和时VCES=0.3 V,VBES=0.7 V。 (1)求Rb=10 kΩ,开关K分别置于0和1处时的VA,VB,VO。 (2)Rb短路,电路能否正常工作?若不能试求出Rb的最小允许值。 (3)为保证电路正常工作,Rb的最大值应为多少?

已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图

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第3题
有施密特特性的CMOS反相器构成的电路及输入信号如图7.4.2所示,已知反相器电源电压VDD=5 V,正、负
向阈值电压分别为VT+=3.3 V,VT-=1.5 V,试画出vC及vO的波形,计算输出脉冲的宽度。

有施密特特性的CMOS反相器构成的电路及输入信号如图7.4.2所示,已知反相器电源电压VDD=5 V

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第4题
两个OC门线与以后,驱动六个普通TTL与非门,如图3.4.2所示。已知与非门输入短路电流IIS=1.5 mA,输入
漏电流IIH=20μA,OC门允许灌入电流IOL≤25 mA,最大漏电流IOH=100μA,要求VOH≥2.7 V,VOL≤0.35 V,求负载电阻RL的取值范围。

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第5题
电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V,饱和时Vces=0.3V,β=100;OC门G1输出管截止时的漏电流约

电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V,饱和时Vces=0.3V,β=100;OC门G1输出管截止时的漏电流约为50μA,饱和导通时最大允许灌电流ILM=10mA,输出低电平VOL=0.3V;TTL与非门输入特性如图(b)所示。要求三极管集电极输出端P为高电平时VPH=3.5V,低电平时VPL=0.3V。试问:

电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V,饱和时Vces=0.3V,β=1

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第6题
由CMOS反相器组成的对称型多谐振荡器如图7.3.4所示。其中R1=R2=10 kΩ,C1=C2=0.01μF,RP1=RP2=100 k
Ω。 (1)分析电路的工作原理,画出vI1、vO1、vI2及vO2的波形; (2)计算电路的振荡频率。

由CMOS反相器组成的对称型多谐振荡器如图7.3.4所示。其中R1=R2=10 kΩ,C1=C2=0

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第7题
试判断能否用74HC04中的一个反相器驱动6个74LS系列门电路?已知HC系列门电路的参数:IOL(max)=4 mA

试判断能否用74HC04中的一个反相器驱动6个74LS系列门电路?已知HC系列门电路的参数:IOL(max)=4 mA,IOH(max)=4 mA,VOL(max)=0.33 V,VOH(min)=3.84 V,74LS系列门电路参数:IIL(max)=0.4 mA,IIH(max)=0.02 mA,VIL(max)=0.8 V,VIH(min)=2 V。

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第8题
图3.3.4中,用TTL驱动发光二极管(LED),已知LED正向驱动压降为2 V,驱动电流为10 mA,TTL与非门输出

图3.3.4中,用TTL驱动发光二极管(LED),已知LED正向驱动压降为2 V,驱动电流为10 mA,TTL与非门输出低电平时允许的最大输出灌电流IOmax=16mA,输出高电平时允许的最大输出拉电流IOH=400μA。 (1)要LED亮,A,B应如何选择; (2)试求电阻R的取值范围。

图3.3.4中,用TTL驱动发光二极管(LED),已知LED正向驱动压降为2 V,驱动电流为10 m

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第9题
在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。 (1)试计算电路的正

在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,

(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端,试画出输出电压的波形。

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第10题
在图9.3.1(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10 kΩ,R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器,VDD=15 V。

在图9.3.1(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10 kΩ,R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器,VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+,下限触发电平VT-和回差电压△VT. (2)若将图9.3.1(b)给出的电压信号加到图9.3.1(a)电路的输出端,试画出输出电压的波形。

在图9.3.1(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10 kΩ,R2=30 kΩ。G1和G2为C

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