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[主观题]

试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为 式中。

试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为

试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为    式中。试求电子

式中试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为    式中。试求电子

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第1题
电子导电和空穴导电有什么区别?空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的?

电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.1电子导电和空穴导电有什么区别?空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的?

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第2题
我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。()

我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。()

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第3题
主要靠电子导电的半导体称()型,主要靠空穴导电的半导体称()型。

主要靠电子导电的半导体称( )型,主要靠空穴导电的半导体称( )型。

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第4题
若在GaAs LED中,μn/μp=30,Na=Nd,证明与电子电流相比较,空穴扩散电流可以忽略.

若在GaAs LED中,μnp=30,Na=Nd,证明与电子电流相比较,空穴扩散电流可以忽略.

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第5题
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴

如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。

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第6题
试证明在非简并情况下电子的热导率在晶格散射情况下为 式中n为电子浓度,μ为迁移率。

试证明在非简并情况下电子的热导率在晶格散射情况下为

式中n为电子浓度,μ为迁移率。

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第7题
从复合动力学理论,证明深能级Et上单个电子和空穴的发射概率分别为 en(Et,T)=σnVthNcexp[-(Ec-Et)/k0T] ep

从复合动力学理论,证明深能级Et上单个电子和空穴的发射概率分别为

en(Et,T)=σnVthNcexp[-(Ec-Et)/k0T]

ep(Et,T)=σpVth]Nvexp[-(Et-Ev)/k0T]

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第8题
电阻为3.0×106Ω的电阻器、电容为1.0μF的电容器以及电动势为4.0V的电源串联成一电路.试求在这电路接通后1.0s

电阻为3.0×106Ω的电阻器、电容为1.0μF的电容器以及电动势为4.0V的电源串联成一电路.试求在这电路接通后1.0s时下列各量:

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第9题
求电子气体在温度接近绝对零度时的。

求电子气体在温度接近绝对零度时的

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第10题
()线圈自感电动势的大小,正比于线圈中的电流的变化率,与线圈中电流的大小无关。

( )线圈自感电动势的大小,正比于线圈中的电流的变化率,与线圈中电流的大小无关。

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