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[主观题]
试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为 式中。
试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为
式中。
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试求电子与空穴混合导电时材料的温差电动势率。并证明在本征情况下的温差电动势率为
式中。
电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.1电子导电和空穴导电有什么区别?空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的?
若在GaAs LED中,μn/μp=30,Na=Nd,证明与电子电流相比较,空穴扩散电流可以忽略.
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
从复合动力学理论,证明深能级Et上单个电子和空穴的发射概率分别为
en(Et,T)=σnVthNcexp[-(Ec-Et)/k0T]
ep(Et,T)=σpVth]Nvexp[-(Et-Ev)/k0T]
电阻为3.0×106Ω的电阻器、电容为1.0μF的电容器以及电动势为4.0V的电源串联成一电路.试求在这电路接通后1.0s时下列各量: