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[主观题]

试定性画出P沟道增强型MOS场应管的转移特性和输出特性曲线。

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第1题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第2题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第3题

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推导电压

放大倍数A_u=u_o/u_i、输入电阻R_i和输出电阻R_o的计算公式。

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推

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第4题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别？

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第5题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第6题

p沟增强型MOS管的开启电压为___，沟道中导电载流子为___。

A.正值，电子

B.正值，空穴

C.负值，电子

D.负值，空穴

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第7题

试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。

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第8题

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于（)状态，（)导电沟道。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

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第9题

图LP3-16所示为采用非线性补偿的有源电阻器,N沟道增强型MOS管T₁、T₂工作在变阻区,试证

明:

图LP3-16所示为采用非线性补偿的有源电阻器,N沟道增强型MOS管T1、T2工作在变阻区,试证明:

图LP3-16所示为采用非线性补偿的有源电阻器,N沟道增强型MOS管T1、T2工作在变阻区,试证明:

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第10题

如图所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压u_T=

()，如果是耗尽型，说明它的夹断电压u_P=()，其中iD的参考方向为流进漏极。

如图所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压uT=()，如

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