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第4题
金属钡（Wm=2.48eV)表面受到紫色光（λ=430nm)照射时，能否放出光电子，放出能量为多少？在图所示的光电测量装置
金属钡(Wm=2.48eV)表面受到紫色光(λ=430nm)照射时，能否放出光电子，放出能量为多少？在图所示的光电测量装置中，如果光由正面照射，且hν＞qΦns将产生怎样的结果；此时若金属层很薄，且hν＞Eg(半导体禁带宽度)，其结果又如何？请解释如何用这一方法来测量金属半导体接触时金属一边的势垒高度。
第5题
以下哪项不是制备核壳结构的半导体量子点的必要条件？（)
A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大
B.对于壳层采用半导体晶体修饰时，两种半导体材料的晶格常数要相匹配，以减少界面张力
C.一定要缓慢滴加前驱体溶液
D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布
第7题
太阳能单一结电池片可以分为();()、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。
太阳能单一结电池片可以分为（);（)、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。
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第8题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（)。
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
第9题
以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误的是（)
A.随着温度的升高，短路电流密度升高，开路电压下降，但光电转换效率下降。
B.温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。
C.光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。
D.与晶硅太阳能电池相比，GaAs太阳能电池的禁带宽度较大，所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。
