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[单选题]
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（)。
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
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A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
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若图4.11中已知VCC=20V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，晶体管为NPN型硅管，β=50，试求电路的静态工作点。
