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[主观题]
电路如图题3.4.7所示，D1、D2为硅二极管，当vN=6sinwtV时，试用恒压降模型分析电路，绘
出输出电压v0的波形。
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更多“电路如图题3.4.7所示，D1、D2为硅二极管，当vN=6s…”相关的问题
根据图6.2回答题。
如图6.2所示，横坐标为产品产量，纵坐标为产品价格，MC为厂商的边际成本曲线，AC为厂商的平均成本曲线，S为市场的供给曲线，D1，D2，D3，D4分别为不同情况下的市场需求曲线。
A.T1，D2导通
B.T1，D1导通
C.T2，D2导通
D.T2，D1导通
A.当输人信号ui处在正半周时，二极管D1和D2通，D3和D4
B. 当输入信号ui处在负半周时，二极管D3和D4通，D1和D3
C.该电路输出为交流电
D. 该电路输出为直流电
刚性杆AB用两根等长钢杆AC、BD悬挂着，受力如图(a)所示。已知杆AC、BD的直径分别为d1=25mm，d2=18mm，钢的许用应力[σ]=170MPa，弹性模量E=210GPa，试校核二钢杆的强度并计算A、B两点的竖向位移。
参考答案：
4.2如图4.2所示，三个平行导体板A、B和C的面积均为S，其中A板带电Q，B、C板不带电，A、B间相距为d1，A、C间相距为d2。
(1)求各导体板上的电荷分布和导体板间的，电势差;
(2)将B、C两导体板分别接地，再求导体板上的电荷分布和导体板间的电势差。
如图2．35所示方形镜谐振腔，凸透镜两边厄米一高斯光束的参数分别为f1=πω012/λ0=6．45cm，f2=πω022/λ0=38．7cm。d1=25cm，d2=50cm，r1=0．98，r2=0．93。透镜的透过率为95％，λ0=5145
。
(1)写出TEMmnq模频率的表达式； (2)求腔内光子寿命； (3)估计腔的Q值； (4)如果腔内存在增益物质，可以使光强每程放大1．13倍，求此有源腔的光子寿命，对此结果怎样理解？
如图4.43所示放大电路中，VCC=12V，RB=280Ω，RC=3kΩ，RE1=1.2kΩ，RL=3kΩ，硅晶体管的β=50。
求静态，IB、IC与UCE；
如下图所示方形镜谐振腔，凸透镜两边厄米—高斯光束的参数分别为f1=π
断处理程序的中断级屏蔽位设置如下表所示。
| 中断响应次序 | 中断屏蔽位 | ||||
| D1 | D2 | D3 | D4 | D5 | |
| D1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| D2 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |
| D3 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| D4 | 1 | O | 1 | 0 | 1 |
| D5 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 |
