题目内容
（请给出正确答案）
有平凸透镜r1=100mm，r2=∞，d=300mm，n=1.5，当物体在-∞时，求高斯像的位置。在第二面上刻一个十字丝，问其通过球面的共轭像在何处？当入射高度h=10mm时，实际光线的像方截距为多少？与高斯像面的距离为多少？
答案
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如下图所示方形镜谐振腔，凸透镜两边厄米—高斯光束的参数分别为f1=π
如图2．35所示方形镜谐振腔，凸透镜两边厄米一高斯光束的参数分别为f1=πω012/λ0=6．45cm，f2=πω022/λ0=38．7cm。d1=25cm，d2=50cm，r1=0．98，r2=0．93。透镜的透过率为95％，λ0=5145
。
(1)写出TEMmnq模频率的表达式； (2)求腔内光子寿命； (3)估计腔的Q值； (4)如果腔内存在增益物质，可以使光强每程放大1．13倍，求此有源腔的光子寿命，对此结果怎样理解？
有以下程序： #include＜iostream＞ using namespace std; class R { public: R(int r1,int r2) { R1=r1; R2=r2; } void print(); void print0const; private: int R1,R2; }; void R::print() { cout＜＜R1＜＜","＜＜R2＜＜endl; } void R::print() const { cout＜＜Rl＜＜","＜＜R2＜＜endl; } int main() { R a(5,4); const R b(20,52); b.print(); return 0; } 执行后的输出结果是()。
A．5，4
B．20，52
C．0，0
D．4，5
A.流过R1的电流与R2的相同，R1消耗的功率是R2的N倍
B. 流过R1的电流与R2的相同，R1消耗的功率是R2的1/N
C. 流过R1的电流是R2的1/N，R1消耗的功率是R2的1/N^2
D. 流过R1的电流是R2的N倍，R1消耗的功率是R2的N^2倍
有A、B、C、D4个存储器操作数，要求完成(A×B)+(C+D)的运算，原来使用的程序如下。 I1 LOAD R1，M(A) ；R1←M(A) I2 LOAD R2，M(B) ；R2←M(B) I3 MUL R5，R1，R2 ；R5←(R1)*(R2) I4 LOAD R3，M(C) ；R3←M(C) I5 LOAD R4，M(D) ；R4←M(D) I6 ADD R2，R3，R4 ；R2←(R3)+(R4) I7 ADD R2，R2，R5 ；R2←(R2)+(R5) 现采用静态指令调度方法，请写出该程序调度后的指令序列。
