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晶体管的反向击穿电压是基极开路时,e、c两极之间的击穿电压。()

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第1题
在发射极开路Ie=0条件下,基集极间加上()时的集电极反向电流就是集—基极的反向饱和电流。
在发射极开路Ie=0条件下,基集极间加上()时的集电极反向电流就是集—基极的反向饱和电流。

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第2题
放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的

放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响,试求该电路的Aus0、fH和G·BW。

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第3题
对于均匀基区晶体管,以下各项中,不属于降低会带来的影响是()。

A.发射效率增大

B.功率增益增大

C.基极电阻增大

D.噪声系数上升

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第4题
晶体管能够进行电流放大作用的外部条件是()。

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结反偏,集电结反偏

C.发射结正偏,集电结反偏

D.基极电压不为零

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第5题
实际晶体管等效电路相比本征部分,多出的部分不包括()。

A.基极电阻

B.发射极和集电极串联电阻

C.发射结和集电结漏导

D.栅极本征电容

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第6题
普通放大电路中集电极电阻Rc乘放大倍数β大于基极电阻Rb数值,这时晶体管处于()。

A.放大状态

B.截止

C.饱和区

D.导通状态

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第7题
在图P9.5所示电路中,已知二极管的导通电压为UD=0.7V,晶体管导通时的|UBE|=0.7V,T2
和T3管发射极静态电位UEQ=0V.试问:

(1)T1、T3和T5管的基极静态电位各为多少?(2)设R2=10kQ,R3=100Q.

1和T3管基极的静态电流可以忽略不计,则T5管集电静电流约

为多少?静态时uI=?(3)若静态时iB1>iB3,则应调节哪个参数可使iB1=iB3?如何调节?(4)电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗?你认为哪个最合适?为什么?

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第8题
谐振功率放大器的特点是:晶体管基极偏压VBB______,而工作在丙类状态,集电极电流为______,其导通角θ______,

谐振功率放大器的特点是:晶体管基极偏压VBB______,而工作在丙类状态,集电极电流为______,其导通角θ______,故放大器具有很高的效率;放大器负载采用______,用以______,实现______获得大功率输出。

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第9题
电路如图P2.6所示,已知晶体管β=120,UBE=0.7V,饱和管压降UCES=0.5V.在下列情况下,用直
流电压表测量晶体管的集电极电位,应分别为多少?

(1)正常情况;(2)Rb1短路;(3)Rb1开路;(4)Rb2开路;(5)Rb2短路;(6)RC短路;

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第10题
三极管的输出特性曲线是指基极电流为常数时,输出电路中集电极电流与()之间的关系曲线。

A.集—射极电压

B.基—射极电压

C.基极电流

D.射极电流

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第11题
穿透电流是基极短路时流过发射极和集电极之间的电流。()
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