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[主观题]
电路如图题4.7.1(主教材图4.7.1)所示。电路参数为RL=5千欧,Rd1=3.3千欧,Rs1=20千欧
电路如图题4.7.1(主教材图4.7.1)所示。电路参数为RL=5千欧,Rd1=3.3千欧,Rs1=20千欧
,Rs2=5千欧,Rg1=500千欧,Rg2=300千欧,IDQ1=IDQ2=1.5mA,VGSQ1=VGSQ2=3V。试求(1)输入和输出电阻;(2)源电压增益Aex。
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,Rs2=5千欧,Rg1=500千欧,Rg2=300千欧,IDQ1=IDQ2=1.5mA,VGSQ1=VGSQ2=3V。试求(1)输入和输出电阻;(2)源电压增益Aex。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
i
=12mV(有效值),信号源内阻Rei=1千欧,R1=R'1+Rei(R'1为电路外接电阻),要求输出电压Vn=1.2V(有效值),设计时该电路所有电阻小于500千欧。
已知纯电容电路如图a所示,C=2.2μF,f=50Hz,,试求XC、iC、
,并画出
、
相量图。
已知纯电感电路如图a所示,L=3H,iL=4sin(120t-66°)A,试求XL、uL、UL,并画出、
相量图。