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第1题
空穴浓度为1016cm-3的p型锗，室温下与金属连接，通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热（设为长声学波散射
空穴浓度为1016cm-3的p型锗，室温下与金属连接，通以A的电流。求接头处吸收或放出的帕尔帖热(设为长声学波散射)。
第2题
在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？（)
A.金属和n型半导体接触，Wm＞Ws
B.金属和n型半导体接触，Wm＜Ws
C.金属和p型半导体接触，Wm＞Ws
D.金属和p型半导体接触，Wm＜Ws
第3题
金属钡（Wm=2.48eV)表面受到紫色光（λ=430nm)照射时，能否放出光电子，放出能量为多少？在图所示的光电测量装置
金属钡(Wm=2.48eV)表面受到紫色光(λ=430nm)照射时，能否放出光电子，放出能量为多少？在图所示的光电测量装置中，如果光由正面照射，且hν＞qΦns将产生怎样的结果；此时若金属层很薄，且hν＞Eg(半导体禁带宽度)，其结果又如何？请解释如何用这一方法来测量金属半导体接触时金属一边的势垒高度。
第7题
声波以vs=2×103m／s的速度在n型半导体中传播，产生形变势效应，使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△Ec，如
声波以vs=2×103m/s的速度在n型半导体中传播，产生形变势效应，使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△Ec，如图所示。不在能谷B和D处的电子就要往能谷底运动。设在正弦波的势能保持不变的情况下电子从A运动到B，或从C运动到B的平均速度的绝对值为Ve=1.2×103m/s，载流子浓度n=5×106/cm3。问载流子处在波前(如A到B)的平均浓度是多少？占总体的百分比是多少？
第8题
设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10-6W/cm2的光照射时，其吸收系数α=102/cm，测得其
设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10-6W/cm2的光照射时，其吸收系数α=102/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10-4s，b=μn/μp=10，μn=10000cm2/(V·s)，求对应的量子产额。
